EMZ1T2R

Teknik Özellikler

Akım Değeri

150mA

Frequency Transition

180MHz 140MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Pin Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Type

NPN, PNP

Operating Supply Voltage

50V

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Terminal Formu

FLAT

Power Dissipation

150mW

Reach Svhc

No SVHC

Max Power Dissipation

150mW

Polarity

NPN, PNP

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Max Breakdown Voltage

50V

Max Collector Current

150mA

Yayın Yılı

2000

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Max Output Current

150mA

Hfemin

120

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Continuous Collector Current

-150mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Gain Bandwidth Product

180MHz

Temel Parça No

*MZ1

Kurşunsuz Kodu

yes

Transition Frequency

180MHz

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Kurşunsuz

Lead Free

Voltage Rated Dc

50V

Element Configuration

Dual