EMX1T2R

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

180MHz

Polarity

NPN

Max Power Dissipation

150mW

Continuous Collector Current

150mA

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Max Collector Current

150mA

Reach Svhc

No SVHC

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Max Breakdown Voltage

50V

Temel Parça No

*MX1

Voltage Rated Dc

50V

Pin Sayısı

6

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Akım Değeri

150mA

Element Configuration

Dual

Terminal Sayısı

6

Gain Bandwidth Product

180MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2003

Power Dissipation

150mW

JESD-609 Kodu

e2

Pin Sayısı

6

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Hfemin

120

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

FLAT

Frekans

180MHz

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)