Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transition Frequency
- 300MHz
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Jesd30 Code
- R-PDSO-F6
- Number Of Elements
- 2
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Terminal Sayısı
- 6
- Frequency Transition
- 300MHz
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 5mA, 50mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Application
- SWITCHING
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 1mA 6V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- FLAT
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- ECCN Kodu
- EAR99
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Polaritychannel Type
- PNP
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Power Max
- 150mW
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors