EMT51T2R

Teknik Özellikler

Max Breakdown Voltage

20V

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

2

Max Collector Current

200mA

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Max Power Dissipation

150mW

Montaj

Surface Mount

Transition Frequency

350MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Power Max

150mW

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Polaritychannel Type

PNP

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Transistor Type

2 PNP (Dual)

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2006

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Frequency Transition

350MHz

Terminal Sayısı

6

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO