EMT2T2R

Teknik Özellikler

Power Dissipation

150mW

Yayın Yılı

2004

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

JESD-609 Kodu

e2

Pin Sayısı

6

Gain Bandwidth Product

140MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Terminal Sayısı

6

Max Output Current

150mA

Pin Sayısı

6

Akım Değeri

-150mA

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Radyasyon Dayanımı

No

HTS Kodu

8541.21.00.75

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Transistor Type

2 PNP (Dual)

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Terminal Formu

FLAT

Hfemin

120

Transistor Element Material

SILICON

Max Collector Current

150mA

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Max Power Dissipation

150mW

Montaj

Surface Mount

Operating Supply Voltage

50V

Transition Frequency

140MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polarity

PNP

Voltage Rated Dc

-50V