Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Number Of Elements
- 2
- Parça Durumu
- Active
- Reach Svhc
- No SVHC
- Voltage Rated Dc
- -50V
- Temel Parça No
- *MT1
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Montaj
- Surface Mount
- Continuous Collector Current
- -150mA
- Max Power Dissipation
- 150mW
- Polarity
- PNP
- Transition Frequency
- 140MHz
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Max Collector Current
- 150mA
- Emitter Base Voltage Vebo
- -6V
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- Collector Base Voltage Vcbo
- -60V
- Terminal Kaplaması
- TIN/TIN COPPER
- Terminal Formu
- FLAT
- Transistor Element Material
- SILICON
- Hfemin
- 120
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 500mV
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Terminal Sayısı
- 6
- Element Configuration
- Dual
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Akım Değeri
- -150mA
- Pin Sayısı
- 6
- JESD-609 Kodu
- e3/e2
- Pin Sayısı
- 6
- Power Dissipation
- 150mW
- Yayın Yılı
- 2008
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors