EMT1T2R

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Reach Svhc

No SVHC

Voltage Rated Dc

-50V

Temel Parça No

*MT1

Max Breakdown Voltage

50V

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Continuous Collector Current

-150mA

Max Power Dissipation

150mW

Polarity

PNP

Transition Frequency

140MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Collector Current

150mA

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Collector Base Voltage Vcbo

-60V

Terminal Kaplaması

TIN/TIN COPPER

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Hfemin

120

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

2 PNP (Dual)

ECCN Kodu

EAR99

HTS Kodu

8541.21.00.75

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Akım Değeri

-150mA

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e3/e2

Pin Sayısı

6

Power Dissipation

150mW

Yayın Yılı

2008