EMT18T2R

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

150mW

Montaj

Surface Mount

Transition Frequency

260MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polarity

PNP

Max Collector Current

500mA

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

6V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Currentcollector Ic Max

500mA

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

2

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Dual

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2005

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 10mA 2V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e2

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 200mA

Gain Bandwidth Product

260MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Base Voltage Vcbo

15V

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Hfemin

270

Radyasyon Dayanımı

No

HTS Kodu

8541.21.00.75

Collector Emitter Voltage Vceo

12V

Collectoremitter Breakdown Voltage

12V

Transistor Type

2 PNP (Dual)