EMH9T2R

Teknik Özellikler

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

250MHz

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Hfemin

68

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Power Dissipation

150mW

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Polarity

NPN

Temel Parça No

*MH9

Yayın Yılı

2011

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

10k Ω

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

500nA

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

JESD-609 Kodu

e3/e2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Continuous Collector Current

100mA

Radyasyon Dayanımı

No

Max Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

150mW

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

TIN/TIN COPPER

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Akım Değeri

70mA

Montaj

Surface Mount