EMH6T2R

Teknik Özellikler

Transition Frequency

250MHz

Max Collector Current

100mA

Power Dissipation

150mW

Temel Parça No

*MH6

Operating Supply Voltage

50V

Polarity

NPN

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Not For New Designs

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

47k Ω

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Max Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

150mW

Continuous Collector Current

100mA

Transistor Application

SWITCHING

Akım Değeri

30mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Voltage Rated Dc

50V

Number Of Elements

2

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

68

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Max Output Current

100mA

Yayın Yılı

2004

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

JESD-609 Kodu

e3/e2

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6