EMH4T2R

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

JESD-609 Kodu

e2

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Hfemin

100

Yayın Yılı

2008

Max Output Current

100mA

HTS Kodu

8541.21.00.75

Frequency Transition

250MHz

Pin Sayısı

6

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Pin Sayısı

5

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Parça Durumu

Active

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

10k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

250MHz

Max Collector Current

100mA

Power Dissipation

150mW

Temel Parça No

*MH4

Operating Supply Voltage

50V

Polarity

NPN, PNP

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V