EMH3T2R

Teknik Özellikler

Hfemin

100

Power Dissipation

150mW

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

250MHz

Max Collector Current

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2004

Polarity

NPN

Temel Parça No

*MH3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Element Configuration

Dual

Resistor Base R1

4.7k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

JESD-609 Kodu

e2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Continuous Collector Current

100mA

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

150mW

Max Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

6

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Terminal Sayısı

6

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Akım Değeri

100mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)