EMH2T2R

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

47k Ω

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

250MHz

Max Collector Current

100mA

Power Dissipation

150mW

Polarity

NPN

Temel Parça No

*MH2

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

50V

Number Of Elements

2

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Sayısı

6

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Continuous Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

150mW

Max Breakdown Voltage

50V

Transistor Application

SWITCHING

Akım Değeri

30mA

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal

SMD/SMT

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

JESD-609 Kodu

e2

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Hfemin

68

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2004

HTS Kodu

8541.21.00.75

Frequency Transition

250MHz

Pin Sayısı

6