EMG9T2R

Teknik Özellikler

Frequency Transition

250MHz

Voltage Rated Dc

50V

Number Of Elements

2

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

5

Max Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

150mW

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

5

Terminal Sayısı

5

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kılıf / Paket

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Akım Değeri

50mA

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

10k Ω

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

500nA

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

JESD-609 Kodu

e2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Configuration

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Hfemin

30

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

250MHz

Max Collector Current

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks