EMG8T2R

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

5

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kılıf / Paket

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Max Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

150mW

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

5

Continuous Collector Current

100mA

Transistor Application

SWITCHING

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Akım Değeri

100mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Voltage Rated Dc

50V

Number Of Elements

2

Frequency Transition

250MHz

Pin Sayısı

5

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

250MHz

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

80

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Power Dissipation

150mW

Temel Parça No

*MG8

Polarity

NPN

Yayın Yılı

2011

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

500nA

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

4.7k Ω