EMG6T2R

Teknik Özellikler

Frequency Transition

250MHz

Number Of Elements

2

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

5

Continuous Collector Current

100mA

Max Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

150mW

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

5

Terminal Sayısı

5

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kılıf / Paket

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

47k Ω

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e2

Configuration

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Hfemin

100

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Power Dissipation

150mW

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

250MHz

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yayın Yılı

2004