EMG3T2R

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

100

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Power Dissipation

150mW

Transition Frequency

250MHz

Max Collector Current

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2012

Temel Parça No

*MG3

Polarity

NPN

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 250μA, 5mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Resistor Base R1

4.7k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e2

Configuration

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

150mW

Max Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

5

Continuous Collector Current

100mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Terminal Sayısı

5

Kılıf / Paket

SC-75, SOT-416

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)