EMG2T2R

Teknik Özellikler

Configuration

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

JESD-609 Kodu

e2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Resistor Base R1

47k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Temel Parça No

*MG2

Polarity

NPN

Yayın Yılı

2004

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transition Frequency

250MHz

Max Collector Current

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

68

Power Dissipation

150mW

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Pin Sayısı

5

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Voltage Rated Dc

50V

Number Of Elements

2

Frequency Transition

250MHz

Transistor Application

SWITCHING

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Akım Değeri

30mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Terminal Sayısı

5