EMG1T2R

Teknik Özellikler

Frequency Transition

250MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Voltage Rated Dc

50V

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

5

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

150mW

Max Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

5

Continuous Collector Current

100mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Terminal Sayısı

5

Kılıf / Paket

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Akım Değeri

30mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

56 @ 5mA 5V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Resistor Base R1

22k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e2

Configuration

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

56

Power Dissipation

150mW

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Max Collector Current

100mA