EMF22T2R

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2003

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polarity

NPN

Hfemin

270

Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

250MHz

Max Collector Current

500mA

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 12V

JESD-609 Kodu

e2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Element Configuration

Dual

Resistor Base R1

10k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Akım Değeri

100mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

150mW

Pin Sayısı

6

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Terminal Sayısı

6

Currentcollector Ic Max

100mA 500mA

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Pin Sayısı

6

Frequency Transition

250MHz 320MHz

Qualification Status

Not Qualified