EMF17T2R

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 20mA 5V / 180 @ 1mA 6V

Parça Durumu

Not For New Designs

Current Collector Cutoff Max

500nA

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

2.2k Ω

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

JESD-609 Kodu

e2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

2.2k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

20

Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Max Collector Current

150mA

Transition Frequency

250MHz

Yayın Yılı

2004

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polarity

NPN, PNP

Frequency Transition

250MHz 140MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Max Power Dissipation

150mW

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Currentcollector Ic Max

100mA 150mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1