EMD6T2R

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Resistor Base R1

4.7k Ω

Yayın Yılı

2004

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

6

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Max Breakdown Voltage

50V

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

2

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Dual

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Transition Frequency

250MHz

JESD-609 Kodu

e2

Akım Değeri

100mA

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Polarity

NPN, PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Pin Sayısı

6

HTS Kodu

8541.21.00.75

Max Power Dissipation

150mW

Temel Parça No

*MD6

Frequency Transition

250MHz

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Rated Dc

50V