EMD29T2R

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Transition Frequency

250MHz

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

JESD-609 Kodu

e2

Element Configuration

Dual

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Max Breakdown Voltage

12V

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

6

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V / 140 @ 100mA 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA

Resistor Base R1

1k Ω, 10k Ω

Yayın Yılı

2008

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

500mA

Terminal Formu

FLAT

Radyasyon Dayanımı

No

Frequency Transition

250MHz 260MHz

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 12V

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

Pin Sayısı

6

Temel Parça No

*MD29

Max Power Dissipation

120mW

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Collectoremitter Breakdown Voltage

12V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Montaj Tipi

Surface Mount