EMD12T2R

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2004

Akım Değeri

30mA

Transition Frequency

250MHz

Transistor Application

SWITCHING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Element Configuration

Dual

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

MD12

Max Power Dissipation

150mW

Pin Sayısı

6

Polarity

NPN, PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

Hfemin

68

Terminal Formu

FLAT

Max Collector Current

100mA

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Voltage Rated Dc

50V

Terminal

SMD/SMT

ECCN Kodu

EAR99

Max Breakdown Voltage

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

150mW

Resistor Base R1

47k Ω

JESD-609 Kodu

e3/e2

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Terminal Sayısı

6

Operating Supply Voltage

50V