EMB4T2R

Teknik Özellikler

Max Collector Current

100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Power Dissipation

150mW

Element Configuration

Dual

Temel Parça No

MB4

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2001

Montaj

Surface Mount

Terminal Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Breakdown Voltage

50V

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Transition Frequency

250MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Hfemin

100

Frequency Transition

250MHz

Polarity

PNP

Voltage Rated Dc

-50V

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

6

Akım Değeri

-100mA

Number Of Elements

2

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Pin Sayısı

6

Terminal Formu

FLAT

Resistor Base R1

10k Ω

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C