EMB10T2R

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Akım Değeri

-100mA

Number Of Elements

2

Continuous Collector Current

-100mA

Pin Sayısı

6

Terminal Formu

FLAT

Resistor Base R1

2.2k Ω

JESD-609 Kodu

e2

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

HTS Kodu

8541.21.00.75

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Hfemin

80

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Current Collector Cutoff Max

500nA

Transition Frequency

250MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Parça Durumu

Active

Frequency Transition

250MHz

Voltage Rated Dc

-50V

Polarity

PNP

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

6

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

ECCN Kodu

EAR99

Max Breakdown Voltage

50V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

150mW

Max Collector Current

100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Radyasyon Dayanımı

No

Temel Parça No

MB10

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)