EMA8T2R

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Max Power Dissipation

300mW

Max Collector Current

100mA

Configuration

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Radyasyon Dayanımı

No

Temel Parça No

MA8

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2001

Terminal Sayısı

5

Power Dissipation

300mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj

Surface Mount

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

ECCN Kodu

EAR99

Max Breakdown Voltage

50V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Hfemin

68

Current Collector Cutoff Max

500nA

Transition Frequency

250MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Parça Durumu

Not For New Designs

Voltage Rated Dc

-50V

Polarity

PNP

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

5

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Akım Değeri

-100mA

Number Of Elements

2

Continuous Collector Current

-100mA

Pin Sayısı

5

Resistor Base R1

10k Ω