EMA3T2R

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

150mW

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Configuration

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Max Collector Current

100mA

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2012

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

5

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Hfemin

100

Kılıf / Paket

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Transition Frequency

250MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Polarity

PNP

Frequency Transition

250MHz

Pin Sayısı

5

Kurşunsuz

Lead Free

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Number Of Elements

2

Resistor Base R1

4.7k Ω

Pin Sayısı

5

JESD-609 Kodu

e2

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V