EM6M2T2R

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

2

Terminal Pozisyonu

DUAL

Temel Parça No

*M2

Fet Feature

Logic Level Gate

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

150mW

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Input Capacitance Ciss Max Vds

25pF @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Rds On Max Id Vgs

1 Ω @ 200mA, 4V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Fet Type

N and P-Channel

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Power Max

150mW

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Drain Currentmax Abs Id

0.2A

Drainsource On Resistancemax

1.4Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Terminal Sayısı

6

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2009

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

6

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

200mA