EM6M1T2R

Teknik Özellikler

Drain To Source Voltage Vdss

30V 20V

Element Configuration

Dual

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2008

Power Dissipation

150mW

JESD-609 Kodu

e2

Pin Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

200mA

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Gate Charge Qg Max Vgs

0.9nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Fet Type

N and P-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

FLAT

Radyasyon Dayanımı

No

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Drainsource On Resistancemax

8Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Drain Currentmax Abs Id

0.1A

Max Power Dissipation

150mW

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Input Capacitance Ciss Max Vds

13pF @ 5V

Rds On Max Id Vgs

8 Ω @ 10mA, 4V

Current Continuous Drain Id25

100mA 200mA

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Parça Durumu

Not For New Designs

Number Of Elements

2

Temel Parça No

6M1

Fet Feature

Logic Level Gate