EM6K7T2R

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

200mA

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Ambalaj

Digi-Reel®

Turn On Delay Time

5 ns

Pin Sayısı

6

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Terminal Sayısı

6

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Drain Currentmax Abs Id

0.2A

Drainsource On Resistancemax

1.4Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Turn Off Delay Time

15 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Rise Time

10ns

Rds On Max Id Vgs

1.2 Ω @ 200mA, 2.5V

Fall Time Typ

10 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

25pF @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Max Power Dissipation

150mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Fet Feature

Logic Level Gate

Temel Parça No

*K7

Number Of Elements

2