EM6K6T2R

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Turn On Delay Time

5 ns

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e2

Pin Sayısı

6

Power Dissipation

150mW

Yayın Yılı

2007

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Continuous Drain Current Id

300mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Rise Time

10ns

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Radyasyon Dayanımı

No

Drain Currentmax Abs Id

0.3A

ECCN Kodu

EAR99

Drainsource On Resistancemax

1.4Ohm

Turn Off Delay Time

15 ns

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Max Power Dissipation

150mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Fall Time Typ

10 ns

Rds On Max Id Vgs

1 Ω @ 300mA, 4V

Input Capacitance Ciss Max Vds

25pF @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

2