EM6K31T2R

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Channels

2

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Fet Feature

Logic Level Gate

Temel Parça No

*K31

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Max Power Dissipation

120mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rds On Max Id Vgs

2.4 Ω @ 250mA, 10V

Fall Time Typ

28 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

15pF @ 25V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Rise Time

5ns

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Radyasyon Dayanımı

No

Power Max

150mW

ECCN Kodu

EAR99

Turn Off Delay Time

18 ns

Terminal Sayısı

6

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Turn On Delay Time

3.5 ns

Vgsth Max Id

2.3V @ 1mA

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e2

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2010

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)