EM6J1T2R

Teknik Özellikler

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Max Power Dissipation

150mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rds On Max Id Vgs

1.2 Ω @ 200mA, 4.5V

Fall Time Typ

17 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

115pF @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Fet Feature

Logic Level Gate

Temel Parça No

*J1

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

6

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Turn On Delay Time

6 ns

Vgsth Max Id

1V @ 100μA

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e2

Pin Sayısı

6

Power Dissipation

150mW

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Continuous Drain Current Id

200mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Gate Charge Qg Max Vgs

1.4nC @ 4.5V

Rise Time

4ns

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks