DTD743EMT2L

Teknik Özellikler

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

JESD-609 Kodu

e2

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Polaritychannel Type

NPN

Terminal Formu

FLAT

Resistor Base R1

4.7 k Ω

Pin Sayısı

3

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Not For New Designs

Current Collector Cutoff Max

500nA

Transition Frequency

260MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Kılıf / Paket

SOT-723

Frequency Transition

260MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Resistor Emitter Base R2

4.7 k Ω

Max Breakdown Voltage

30V

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2012

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

115 @ 100mA 2V

Max Collector Current

200mA

Max Power Dissipation

150mW

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

AMPLIFIER

Element Configuration

Single

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Radyasyon Dayanımı

No