DTB123YCT116

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

500nA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

56 @ 50mA 5V

Max Power Dissipation

200mW

Max Breakdown Voltage

50V

Transition Frequency

200MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Reach Svhc

No SVHC

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5

Terminal Sayısı

3

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Polarity

PNP

Resistor Base R1

2.2 k Ω

HTS Kodu

8541.21.00.75

Transistor Application

SWITCHING

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

JESD-609 Kodu

e1

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

1998

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Number Of Elements

1

Frequency Transition

200MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Type

PNP - Pre-Biased