DTB123ESTP

Teknik Özellikler

Hfemin

39

Transition Frequency

200MHz

Montaj Tipi

Through Hole

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

500nA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

39 @ 50mA 5V

Max Power Dissipation

300mW

Voltage Rated Dc

-50V

Resistor Emitter Base R2

2.2 k Ω

Kılıf / Paket

SC-72 Formed Leads

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Polarity

PNP

HTS Kodu

8541.21.00.75

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Montaj

Through Hole

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Temel Parça No

DTB123

Terminal Sayısı

3

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Number Of Elements

1

Frequency Transition

200MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Max Collector Current

500mA

Ambalaj

Tape & Box (TB)

JESD-609 Kodu

e1

Parça Durumu

Obsolete

Yayın Yılı

2006

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single