DTB114GKT146

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Frequency Transition

200MHz

Number Of Elements

1

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Power Dissipation

200mW

Transistor Application

SWITCHING

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

HTS Kodu

8541.21.00.75

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Rated Dc

-50V

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Max Breakdown Voltage

50V

Hfemin

56

Transition Frequency

200MHz

Terminal Pozisyonu

DUAL

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Pin Sayısı

3

Continuous Collector Current

-500mA

Max Collector Current

500mA

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Parça Durumu

Active

Akım Değeri

-500mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2006

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Polarity

PNP

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Temel Parça No

DTB114