DTB113ZSTP

Teknik Özellikler

Akım Değeri

-500mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Yayın Yılı

2004

Parça Durumu

Obsolete

JESD-609 Kodu

e1

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Max Collector Current

500mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Frequency Transition

200MHz

Number Of Elements

1

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

Vcesatmax

0.3 V

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Terminal Sayısı

3

Temel Parça No

DTB113

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Through Hole

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Transistor Application

SWITCHING

Qualification Status

Not Qualified

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

HTS Kodu

8541.21.00.75

Resistor Base R1

1 k Ω

Polarity

PNP

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Kılıf / Paket

SC-72 Formed Leads

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Voltage Rated Dc

-50V

Max Power Dissipation

300mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

56 @ 50mA 5V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V