DTA123EMT2L

Teknik Özellikler

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Yayın Yılı

2009

Voltage Rated Dc

-50V

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Akım Değeri

-100mA

Hfemin

20

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Max Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

150mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Temel Parça No

DTA123

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

HTS Kodu

8541.21.00.75

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Current Collector Cutoff Max

500nA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

PNP

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e2

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Transition Frequency

250MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 5mA 5V

Continuous Collector Current

-100mA

Transistor Application

SWITCHING

Resistor Emitter Base R2

2.2 k Ω

Kılıf / Paket

SOT-723

Power Dissipation

150mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount