DTA115EMT2L

Teknik Özellikler

Max Breakdown Voltage

50V

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

82 @ 5mA 5V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Power Dissipation

150mW

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Transition Frequency

250MHz

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Hfemin

82

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

3

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Akım Değeri

-100mA

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Resistor Base R1

100 k Ω

JESD-609 Kodu

e2

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Voltage Rated Dc

-50V

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Collector Current

20mA

Terminal Formu

FLAT

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Parça Durumu

Active

Polarity

PNP

Kurşunsuz

Lead Free

Kurşunsuz Kodu

yes

Frequency Transition

250MHz

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Current Collector Cutoff Max

500nA