DTA114TETL

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

-50V

Yayın Yılı

2006

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Akım Değeri

-100mA

Resistor Base R1

10 k Ω

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Hfemin

100

Max Breakdown Voltage

50V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Power Dissipation

150mW

Temel Parça No

DTA114

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

HTS Kodu

8541.21.00.75

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

PNP

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

JESD-609 Kodu

e1

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

3

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Continuous Collector Current

-100mA

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Transition Frequency

250MHz

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Kılıf / Paket

SC-75, SOT-416

Power Dissipation

150mW