Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Parça Durumu
- Active
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 150mV
- Pin Sayısı
- 85
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transition Frequency
- 250MHz
- Continuous Collector Current
- -100mA
- Jesd30 Code
- R-PDSO-F3
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Element Configuration
- Single
- Kılıf / Paket
- SC
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Output Voltage
- -70mV
- Number Of Elements
- 1
- Dc Current Gainmin Hfe
- 80
- Polarity
- PNP
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Max Frequency
- 250MHz
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Transistor Application
- SWITCHING
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Sayısı
- 3
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj
- Surface Mount
- Hfemin
- 80
- Yayın Yılı
- 2013
- Max Collector Current
- 20mA
- Terminal Formu
- FLAT
İlgili Ürünler
Stokta
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays