2SD1867TV2

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2005

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Through Hole

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Power Dissipation

1W

JESD-609 Kodu

e1

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 1A 2V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Vcesatmax

1.5 V

Transition Frequency

80MHz

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Collector Base Voltage Vcbo

100V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

10μA ICBO

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.0857

Parça Durumu

Obsolete

Akım Değeri

2A

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Polarity

NPN

Montaj

Through Hole

Element Configuration

Single

Hfemin

1000

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 1mA, 1A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

3-SIP

Voltage Rated Dc

100V

Max Collector Current

2A

Emitter Base Voltage Vebo

6V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

NPN - Darlington

Terminal Sayısı

3

Frequency Transition

80MHz

Pin Sayısı

3

HTS Kodu

8541.29.00.75

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

SWITCHING