Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3V
- Max Breakdown Voltage
- 6V
- Highest Frequency Band
- ULTRA HIGH FREQUENCY B
- ECCN Kodu
- EAR99
- Max Power Dissipation
- 200mW
- JESD-609 Kodu
- e1
- Collectorbase Capacitancemax
- 1.7pF
- Pin Sayısı
- 3
- Gain Bandwidth Product
- 800MHz
- Continuous Collector Current
- 50mA
- Pin Sayısı
- 3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Polaritychannel Type
- NPN
- Voltage Rated Dc
- 6V
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Max Collector Current
- 50mA
- Element Configuration
- Single
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Transistor Type
- NPN
- Parça Durumu
- Active
- Montaj
- Surface Mount
- Collector Base Voltage Vcbo
- 12V
- Akım Değeri
- 50mA
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Temel Parça No
- 2SC4774
- Hfemin
- 180
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 6V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Reach Svhc
- No SVHC
- Transition Frequency
- 800MHz
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal
- SMD/SMT
- Terminal Formu
- GULL WING
- Kılıf / Paket
- SC-70, SOT-323
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Terminal Sayısı
- 3
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors