2SB1386T100R

Teknik Özellikler

Transition Frequency

120MHz

Power Max

2W

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Not For New Designs

Contact Plating

Copper, Tin

Yayın Yılı

2004

Temel Parça No

2SB1386

Power Dissipation

500mW

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vcesatmax

1 V

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gain Bandwidth Product

120MHz

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Element Configuration

Single

Transistor Type

PNP

Terminal

SMD/SMT

Collector Base Voltage Vcbo

-30V

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

180 @ 500mA 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 100mA, 4A

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Hfemin

82

Transistor Application

SWITCHING

Collector Emitter Voltage Vceo

1V

JESD-609 Kodu

e2

Akım Değeri

-5A

Voltage Rated Dc

-20V

ECCN Kodu

EAR99