2SB1386T100Q

Teknik Özellikler

Power Dissipation

500mW

Yayın Yılı

2001

Temel Parça No

2SB1386

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Number Of Elements

1

Contact Plating

Copper, Tin

Parça Durumu

Not For New Designs

Power Max

2W

Transition Frequency

120MHz

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Kurşunsuz

Lead Free

Collector Base Voltage Vcbo

-30V

Gain Bandwidth Product

120MHz

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Element Configuration

Single

Transistor Type

PNP

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Terminal

SMD/SMT

Vcesatmax

1 V

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Collector Emitter Voltage Vceo

1V

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 100mA, 4A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 500mA 2V

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Hfemin

82

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-243AA

Max Collector Current

5A