2SB1197KT146Q

Teknik Özellikler

Transistor Application

AMPLIFIER

Yayın Yılı

2008

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Collectoremitter Breakdown Voltage

32V

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Voltage Rated Dc

-32V

Max Breakdown Voltage

32V

Vcesatmax

0.5 V

Hfemin

120

Transistor Type

PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 100mA 3V

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Gain Bandwidth Product

200MHz

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

200mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Number Of Elements

1

Transition Frequency

200MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Temel Parça No

2SB1197

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Polaritychannel Type

PNP

Parça Durumu

Active

Max Collector Current

800mA

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

JESD-609 Kodu

e1