2SB1181TLQ

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Yayın Yılı

2009

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1W

Voltage Rated Dc

-80V

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

Terminal

SMD/SMT

Terminal Sayısı

2

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 100mA 3V

Hfemin

120

Transistor Type

PNP

Max Breakdown Voltage

80V

Gain Bandwidth Product

100MHz

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

10W

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collectoremitter Saturation Voltage

-400mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Number Of Elements

1

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Temel Parça No

2SB1181

Polaritychannel Type

PNP

Parça Durumu

Not For New Designs

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Max Collector Current

1A

Akım Değeri

-1A