2SAR553PT100

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Formu

FLAT

Transistor Application

SWITCHING

Configuration

SINGLE

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

320MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 35mA, 700mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

2W

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Polaritychannel Type

PNP

Parça Durumu

Not For New Designs

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-243AA

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Temel Parça No

2SAR553

Frequency Transition

320MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

JESD-609 Kodu

e2

Max Breakdown Voltage

50V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Transistor Type

PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Hfemin

180

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

180 @ 50mA 2V

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

Max Collector Current

2A

Transistor Element Material

SILICON

Current Collector Cutoff Max

1μA ICBO

Max Power Dissipation

2W

Kurşunsuz Kodu

yes

Continuous Collector Current

-2A

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3