UMZ1NT1

Teknik Özellikler

Hfemin

200

Frequency Transition

114MHz 142MHz

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Transition Frequency

114MHz

Yüzey Montaj

YES

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Akım Değeri

200mA

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Max

250mW

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yayın Yılı

2007

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Pin Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Qualification Status

COMMERCIAL

Power Dissipation

187mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 6V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e0

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Terminal Sayısı

6

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Kurşunsuz

Contains Lead

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

250mW

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Currentcollector Ic Max

200mA

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Type

NPN, PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Transistor Element Material

SILICON

Temel Parça No

UMZ1N

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount